电力大数[3]图3.实验装置和二维双层冰的STM和AFM图像。

从工艺描述中可以推断，据减机械剥离是一种相对粗糙的工艺，据减它产生的薄膜厚度在几百纳米到几微米范围内，而衬底表面的粗糙度与其他外延lift-off技术相比是最粗糙的。污降（图4a）激光lift-off是一种利用准分子激光将外延层从透明基底(如蓝宝石或碳化硅)中分离出来的技术。

然而,异质外延不仅提供了功能集成设备层具有成本效益的基质,还提供了一个路径向实现高效和功能设备通过结合多层薄膜与不同的电子、碳协同光子、碳协同磁性和声子特性,因此一直尽最大努力生长异质外延层材料高质量。用联验室硅和锗等元素半导体由于其键的非离子性而不能在外延生长。合实我们将其分为二维材料辅助外延(图3a)和几何定义的外延技术(图3b)。

块体2D材料表面没有悬空键，成立靠非常弱的vdW力将其结合在一起。随着外延技术的进一步发展，电力大数它可以生产出薄的单晶独立式柔性薄膜，电力大数满足柔性、共形和多功能电子器件在工业上的应用要求，比如物联网、智慧城市、智能汽车和可穿戴电子产品。

随着异质材料异质集成需求的不断增长，据减各种不同的liftoff技术得到了发展，据减包括epitaxiallift-off (ELO)、机械剥离、laserlift-off和二维(2D)材料辅助层转移(2DLT)等。

[3] 这种模式已经被用在TiN，污降AlN在Si(100)上生长，污降ZnO在αAl2O3 (0001)上生长，它们之间都有15%到25%的晶格失配，证明了III-V和III-N材料、氧化物和硅通过外延生长在单个晶圆片上的集成的可能性。（图6）[19]图6. 先进的异质外延技术在硅上异质集成的实例薄膜衬底上的光电探测器可以转换成保角结构，碳协同这种结构允许广阔的视野，碳协同用简单的光学元件获得低像差的图像，模仿人类和昆虫眼睛等生物成像系统。

因此，用联验室可能不需要晶圆翻新过程，例如化学抛光和机械抛光。（图4b）该方法利用短波长激光被GaN膜吸收，合实将衬底/GaN界面分解成金属Ga和N2气体，加热到Ga熔点以上(30°C)，将epilayer从基体中分离出来。

图7（右）显示了一个用于感知和分类气体的3d集成片上存储计算系统的示意图，成立该系统由一个输入/输出层(碳纳米管FETs，成立CNFETs))，一个存储器层(电阻性随机存取存储器)和一个计算层(硅场效应晶体管和CNFETs)。这个过程可以是均匀的(在同一材料的基材上生长)，电力大数也可以是不均匀的(在不同材料的基材上生长)。